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MMDF2C03HD
N ? Channel
P ? Channel
350
300
250
200
150
100
50
I D = 9 A
350
300
250
200
150
100
50
I D = 6 A
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
9
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